金融界2024年12月21日消息，国家知识产权局信息显示，天合光能股份有限公司申请一项名为“太阳能电池及其制备方法和光伏组件”的专利，公开号CN 119153550 A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本申请公开一种太阳能电池及其制备方法和光伏组件，涉及太阳能电池技术领域。太阳能电池包括：基底；隧穿层，位于基底的表面；隔离结构，位于隧穿层远离基底的表面，隔离结构包括沿垂直于基底的第一方向交替层叠的硅氧化物层和掺杂缓冲层；第一掺杂层，位于隔离结构远离基底的表面；其中，第一掺杂层的掺杂浓度大于掺杂缓冲层的掺杂浓度。整体减少扩散到隧穿层的掺杂离子，降低了内扩的影响，提高了太阳能电池的开路电压和填充因子，增加了太阳能电池的产品竞争力，扩大了退火工艺的工艺窗口，降低了退火工艺匹配对太阳能电池性能的影响。
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